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晶体管
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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57060TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3024LK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8198
IRFIBC30GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:4008
CSD25202W15
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
9,000:查看
参考库存:7623
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:3649
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
8,000:¥0.43053
24,000:查看
参考库存:50727
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