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晶体管
PD57060TR-E参考图片

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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:42,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:6401
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
参考库存:7416
晶体管
MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥1.8984
参考库存:13716
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥32.2728
10:¥27.4364
100:¥23.8204
250:¥22.5887
参考库存:5925
晶体管
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.2827
参考库存:10928
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