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晶体管
PD57060TR-E参考图片

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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:42,773(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:6754
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
1:¥41.6518
10:¥35.4255
100:¥30.6569
250:¥29.1201
1,000:¥22.0576
2,000:查看
参考库存:5714
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
500:¥13.673
800:¥13.673
参考库存:6961
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 6PIN
1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:9738
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.1811
500:¥4.7912
3,000:¥3.4239
6,000:查看
参考库存:9976
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