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晶体管
BUK755R4-100E,127参考图片

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BUK755R4-100E,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
349 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
158 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BUK755R4-100E,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF6712STRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:6613
PIMT1,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:18853
IRLI3705NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3841
FQP2N80
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0681
500:¥5.3675
参考库存:2852
IRFP4368PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
1:¥50.172
10:¥45.3356
25:¥43.2564
100:¥37.5725
参考库存:2968
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