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晶体管
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PTFB183404F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
1
¥1,281.0019
1281.0019
50
¥1,281.0019
64050.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB183404F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:3489
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:19401
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:4284
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
参考库存:5366
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 375V
1:¥8.1473
10:¥7.006
100:¥5.3901
500:¥4.7573
1,000:¥3.7629
参考库存:4717
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