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晶体管
BUL128D-B参考图片

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BUL128D-B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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库存:8,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL128D-B
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
70000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUL128D-B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:7895
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.7629
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:7837
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥27.5042
10:¥22.1254
100:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:5498
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:18943
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:2577
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