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晶体管
BUL128D-B参考图片

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BUL128D-B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL128D-B
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
70000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUL128D-B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
参考库存:4872
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP
1:¥6.4523
10:¥5.2658
100:¥4.3844
500:¥3.3787
1,000:¥3.0623
参考库存:4898
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
1:¥4.0002
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:5273
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:5190
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:13505
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