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晶体管
ZXTN19020DFFTA参考图片

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ZXTN19020DFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.9607
49.607
100
¥3.1979
319.79
1,000
¥2.5538
2553.8
3,000
¥2.5538
7661.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
190 mV
最大直流电集电极电流
6.5 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN19020
直流电流增益 hFE 最大值
900
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN19020DFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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