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晶体管
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HGTG30N60A4D

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数量单价合计
1
¥60.9296
60.9296
10
¥55.0988
550.988
25
¥52.4772
1311.93
100
¥45.5616
4556.16
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60A4D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60A4D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，HGTG30N60A4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:40974
2N2218AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:40977
RM12N500T2
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥6.8817
2,000:¥5.8986
4,000:¥5.3901
10,000:¥4.9155
参考库存:40980
JANTXV2N2907AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
200:¥71.8454
250:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:40983
CMBT2907A
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.6A,60V GenPur
18,000:¥0.16159
参考库存:40986
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