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晶体管
RSQ045N03TR参考图片

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RSQ045N03TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.486
2486
3,000
¥2.2713
6813.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RSQ045N03
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
RSQ045N03
单位重量
14 mg
商品其它信息
优势价格，RSQ045N03TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2401,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25353
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:25356
NVMFS6B03NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.6678
参考库存:25359
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25362
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4932
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