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晶体管
IGW15N120H3参考图片

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IGW15N120H3

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库存:1,477(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.3463
33.3463
10
¥28.3517
283.517
100
¥24.5888
2458.88
250
¥23.278
5819.5
500
¥20.905
10452.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
217 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N12H3XK SP000674430
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW15N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
5,000:¥1.582
参考库存:8623
晶体管
MOSFET 30V NCh PowerTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7403
100:¥2.2826
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:9192
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
1:¥19.8202
10:¥17.6732
100:¥16.1364
250:¥14.5205
参考库存:5426
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
1:¥180.1898
10:¥153.2167
100:¥142.3122
250:¥130.5489
参考库存:4736
晶体管
MOSFET COMPOSITE SM SIG MOS FLAT LEAD 1.6x1.6mm
1:¥3.6838
10:¥2.6781
100:¥1.5933
500:¥0.92999
8,000:¥0.56839
24,000:查看
参考库存:15294
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