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晶体管
IPB048N15N5LFATMA1参考图片

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IPB048N15N5LFATMA1

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库存:4,907(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥57.1667
57.1667
10
¥51.641
516.41
25
¥49.2567
1231.4175
100
¥42.7253
4272.53
1,000
¥32.431
32431
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
84 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB048N15N5LF SP001503860
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IPB048N15N5LFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH75T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:44447
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.5029
参考库存:44450
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥137.7696
10:¥125.2492
25:¥115.8024
50:¥109.5761
参考库存:44453
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7854
5,000:¥1.6159
参考库存:44456
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A
1:¥7,497.5839
5:¥7,377.7135
参考库存:4614
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