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晶体管
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QS6J1TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8533
38.533
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8193
1819.3
3,000
¥1.5481
4644.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6J1
晶体管类型
2 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
QS6J1
商品其它信息
优势价格，QS6J1TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMZB200UNEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
10,000:¥0.51528
20,000:查看
参考库存:21570
SIA485DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.6104
10:¥3.4917
100:¥2.5877
500:¥2.1244
3,000:¥1.5029
6,000:查看
参考库存:38369
SQR40N10-25_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 40A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.5316
2,000:¥8.1473
4,000:查看
参考库存:4041
IPU95R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:2820
FF900R12IP4DV
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,760.464
参考库存:2345
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