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晶体管
BTS282ZE3230AKSA2参考图片

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BTS282ZE3230AKSA2

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库存:1,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.3466
39.3466
10
¥33.4254
334.254
100
¥28.9732
2897.32
250
¥27.5042
6876.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
49 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
232 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
BTS282Z E3230 SP000969786
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,BTS282ZE3230AKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
参考库存:2092
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:6013
晶体管
MOSFET SO8 COMP N-P-CH T/R
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.7459
参考库存:17732
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
1:¥4.4522
10:¥3.7629
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:22596
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:2191
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