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BTS282ZE3230AKSA2

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1
¥39.3466
39.3466
10
¥33.4254
334.254
100
¥28.9732
2897.32
250
¥27.5042
6876.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
49 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
232 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
BTS282Z E3230 SP000969786
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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