| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
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1:¥37.0414
100:¥30.8942
500:¥26.4307
1,000:¥23.1311
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参考库存:4419
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肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A
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1:¥17.3681
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参考库存:7883
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:1806
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肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
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1:¥14.9047
100:¥12.4526
500:¥10.6785
1,000:¥9.2999
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参考库存:6930
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分立半导体模块 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
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1:¥2,535.72
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参考库存:1594
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:1832
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥211.1518
200:¥211.1518
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参考库存:1619
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MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
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1:¥262.1826
100:¥252.1143
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参考库存:2531
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥738.2064
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参考库存:28816
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥7,143.2046
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参考库存:28810
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,097.7385
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参考库存:28757
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥914.396
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参考库存:28680
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,281.0019
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参考库存:28565
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥2,955.8088
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参考库存:28424
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:28383
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,159.2105
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参考库存:28354
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,121.864
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参考库存:28260
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥3,941.1236
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参考库存:27991
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:27871
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥848.0085
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参考库存:27834
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