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分立半导体
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PTFB093608FV-V3-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,159.2105
289802.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
360 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB093608FV-V3-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SMB5954 R5G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,160V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
850:¥0.97632
参考库存:28938
1SMB5946HR4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3W,75V,5%,ZENER,SMB
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
3,000:¥0.87575
9,000:查看
参考库存:28941
SK35AHF3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,50V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥3.0736
100:¥2.0792
500:¥1.4238
1,800:¥0.95259
3,600:查看
参考库存:28944
1SMA180Z R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W,180V,5%,ZENER,SMA
1:¥3.9211
10:¥2.3052
100:¥1.8306
500:¥1.08367
1,800:¥0.72207
9,000:查看
参考库存:28947
RS3M R7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 1000V, FAST Rec. SMD RECTIFIER
1:¥4.2262
10:¥3.2996
100:¥2.2826
500:¥1.2656
850:¥1.1413
参考库存:28950
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