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分立半导体
PTFB182503FL-V2-R250参考图片

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PTFB182503FL-V2-R250

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库存:27,871(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB182503FL-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:24772
分立半导体
分立半导体模块 100 Amp 60 Volt 15000 Amp IFSM
1:¥315.8124
5:¥307.4391
10:¥295.5289
参考库存:24775
分立半导体
SCR模块 HIGH POWER THYR / DIO
1:¥11,310.622
参考库存:24778
分立半导体
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:24781
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,844.6233
5:¥1,799.1295
10:¥1,755.8731
25:¥1,692.0168
参考库存:24784
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