| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
PDF数据手册
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1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
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参考库存:1585
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
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参考库存:1544
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1008N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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1:¥123.4073
10:¥113.4972
25:¥108.4235
100:¥95.824
1,000:¥75.9134
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参考库存:2445
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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1:¥465.0402
5:¥451.5141
10:¥441.83
25:¥423.3093
500:¥364.0634
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参考库存:1905
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射频放大器 MMG30271B/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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1:¥38.1149
10:¥34.1147
25:¥30.6569
50:¥29.1992
1,000:¥18.2156
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参考库存:1936
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
500:¥154.1433
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参考库存:1859
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,203.75
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参考库存:1344
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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1:¥210.3156
5:¥201.0157
10:¥194.021
25:¥169.274
500:¥145.996
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参考库存:3117
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,333.9424
5:¥1,304.133
10:¥1,277.465
25:¥1,258.6392
250:¥1,185.6412
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参考库存:1256
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射频放大器 2300-2690 MHz 2.5 W Avg., 28 V
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1:¥367.2161
5:¥347.3959
10:¥342.4013
25:¥317.5752
500:¥251.425
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参考库存:1699
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
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1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
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参考库存:1205
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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1:¥121.3281
10:¥111.5762
25:¥106.6494
100:¥94.2081
500:¥81.3713
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参考库存:2251
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射频微控制器 - MCU MKW40Z160VHT4/HVQFN48R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
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1:¥41.0303
10:¥37.0414
25:¥33.2672
100:¥30.6569
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参考库存:1636
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5300N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥498.2283
5:¥483.7869
10:¥473.4135
25:¥453.5142
500:¥390.0421
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参考库存:1570
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,203.75
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参考库存:1010
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