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无线和射频半导体
MRF24300NR3参考图片

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MRF24300NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥1,333.9424
1333.9424
5
¥1,304.133
6520.665
10
¥1,277.465
12774.65
25
¥1,258.6392
31465.98
250
¥1,185.6412
296410.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
13.1 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2.45 GHz
系列
MRF24300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
833 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935323808528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MRF24300NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:27454
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
50:¥4,073.6726
参考库存:27457
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M4, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥33.6514
520:¥31.8095
1,040:¥31.2784
参考库存:27460
无线和射频半导体
射频混合器 Hi Signal Level Upconverting Mixer
95:¥45.7198
190:¥37.8098
285:¥35.8888
570:¥35.1204
1,045:¥33.7305
参考库存:27463
无线和射频半导体
射频收发器 TX SubG
2,500:¥9.605
参考库存:27466
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