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无线和射频半导体

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MRFE6VP5300NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5300N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存:1,570(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥498.2283
498.2283
5
¥483.7869
2418.9345
10
¥473.4135
4734.135
25
¥453.5142
11337.855
500
¥390.0421
195021.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
935312013528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5300NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 20V 10MA
1:¥7.1416
10:¥6.3958
25:¥5.7743
100:¥5.0511
3,000:¥2.7459
参考库存:6816
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Hi VTG Fractional-N Integer-N
1:¥46.5673
10:¥41.8778
25:¥39.4144
50:¥37.0414
参考库存:4707
无线和射频半导体
射频无线杂项 ATT N 10DB 4GHZ 25
1:¥3,392.26
5:¥3,341.6134
10:¥3,279.147
25:¥3,053.3956
参考库存:4660
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 1.5dB Gain 20dB P1dB 23dBm
1:¥42.7253
25:¥36.3408
100:¥31.0411
参考库存:5371
无线和射频半导体
射频放大器 10W 2-STAGE HYBRID GaN Transistor
1:¥1,270.7754
2:¥1,235.6663
5:¥1,207.3824
10:¥1,172.1151
参考库存:4745
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