| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥977.9472
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参考库存:16733
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥718.9173
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参考库存:16727
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,771.8496
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参考库存:16684
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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250:¥1,072.3022
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参考库存:16674
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
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1:¥1,163.1316 5:¥1,140.3056 10:¥1,087.1278 25:¥1,064.3131 50:¥1,064.3131
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参考库存:16666
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:16660
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
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1:¥307.0549 5:¥291.5287 10:¥286.455 25:¥259.7192 250:¥229.9098
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参考库存:16657
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
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250:¥774.6263
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参考库存:16651
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,872.3518
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参考库存:16630
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
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1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094
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参考库存:3163
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
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150:¥1,030.3453
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参考库存:16622
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:16619
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:16588
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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500:¥382.1999
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参考库存:16579
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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1:¥83.0663 10:¥76.3767 25:¥72.998 100:¥64.5456 1,000:¥51.0986
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参考库存:3802
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
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1:¥1,382.7358 5:¥1,351.8416 10:¥1,324.1792 25:¥1,304.6641 50:¥1,257.2606
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参考库存:16507
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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1:¥18.2834 10:¥16.7466 25:¥15.2098 100:¥13.7521 1,000:¥10.2943
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参考库存:4852
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
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150:¥1,033.5771
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参考库存:16441
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
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50:¥4,765.0744
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参考库存:16438
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,154.6792 5:¥1,128.9378 10:¥1,105.8067 25:¥1,089.5121 150:¥1,026.3564
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参考库存:16430
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