| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥2,955.8088
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参考库存:17419
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
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25:¥4,791.3582
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参考库存:17416
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:17413
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10:¥2,235.7389
25:¥2,155.136
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参考库存:17410
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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暂无价格
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参考库存:17407
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:17404
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
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1:¥250.0351
10:¥242.7353
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参考库存:4078
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
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50:¥2,004.5974
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参考库存:17399
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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600:¥178.1106
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参考库存:17396
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
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1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
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参考库存:3910
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
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参考库存:3909
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
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150:¥1,610.4873
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参考库存:17389
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1:¥453.4351
2:¥445.0618
5:¥439.9881
10:¥426.688
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参考库存:17386
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥719.5275
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参考库存:17383
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
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50:¥568.1527
100:¥563.4632
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参考库存:17380
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10:¥1,228.6716
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参考库存:17377
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射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
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1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
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参考库存:5568
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,159.2105
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参考库存:17372
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:3971
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100:¥111.3389
200:¥86.6032
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参考库存:17367
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