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无线和射频半导体
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MRFE6VP5600HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,020.277
1020.277
5
¥1,000.5359
5002.6795
10
¥967.4947
9674.947
25
¥926.5322
23163.305
150
¥830.7986
124619.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 48 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-Ghz Radio
1:¥30.4309
10:¥29.9676
25:¥27.8884
100:¥27.0522
参考库存:1845
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1284P-AU AT86RF212-ZU
1:¥78.1508
10:¥70.3086
25:¥64.0032
50:¥61.246
参考库存:1399
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:1712
无线和射频半导体
射频检测器 RMS TruPwr Detectors
1:¥102.1181
10:¥92.6713
25:¥87.0552
50:¥83.9138
1,500:¥59.6301
参考库存:3507
无线和射频半导体
射频无线杂项 BST capacitance controller, 350 m pitch
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.52
500:¥4.0002
5,000:¥2.7911
参考库存:2127
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