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无线和射频半导体
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MRFE6VP5600HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,020.277
1020.277
5
¥1,000.5359
5002.6795
10
¥967.4947
9674.947
25
¥926.5322
23163.305
150
¥830.7986
124619.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC High Reliability SP2T Absorptive RF Switch
1:¥23.278
10:¥18.8258
100:¥16.9048
250:¥15.0629
4,000:¥9.7632
参考库存:6778
无线和射频半导体
射频放大器 50MHz-6GHz RF/IF Gain Block
1:¥30.0467
10:¥26.8149
25:¥24.1255
50:¥23.052
1,500:¥14.5996
参考库存:5202
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 2.4 G 19 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 16GPIO SoC
1:¥39.4935
10:¥38.8042
25:¥38.0358
50:¥36.5781
参考库存:3108
无线和射频半导体
射频放大器 12.5-15.5GHz NF7.5dB Gain 25 dB
1:¥233.8987
25:¥198.8574
100:¥169.5904
250:¥152.0641
500:¥134.6282
参考库存:3319
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE ANT/ANT+ 2.4GHz SOC
暂无价格
参考库存:22867
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