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无线和射频半导体
ARF460BG参考图片

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ARF460BG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:2,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥322.4229
322.4229
2
¥313.6654
627.3308
5
¥304.9757
1524.8785
10
¥296.2182
2962.182
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
65 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3.3 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,ARF460BG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 WIRELESS CONTROLLER
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6783
参考库存:9214
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:6667
无线和射频半导体
射频前端 2.412 - 2.484 GHz 17 dBm, 3.3 V
1:¥14.9838
250:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
2,500:¥7.9891
参考库存:5400
无线和射频半导体
射频放大器 860 - 894 MHZ 24.5DBM 7X7 MCM LINEAR SMA
1:¥53.7089
10:¥49.2567
25:¥44.7932
50:¥40.341
2,500:¥27.7415
参考库存:4707
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V -40C +85C
1:¥8.7575
250:¥8.0682
500:¥7.0738
1,000:¥5.8421
2,500:¥4.6895
参考库存:5534
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