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无线和射频半导体
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ARF1501

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,451.9709
1451.9709
2
¥1,417.0878
2834.1756
5
¥1,396.341
6981.705
10
¥1,376.5095
13765.095
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5.5 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
13 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,ARF1501的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET
1:¥9.379
10:¥7.1868
100:¥5.2206
500:¥4.4409
参考库存:3526
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz
25:¥238.5882
参考库存:3414
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 18 IND Programable
1:¥341.938
5:¥332.2539
10:¥317.0441
25:¥305.8232
参考库存:3511
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Frctn-N PLL w/ Int VCO, 25 - 6000 MHz
1:¥162.2906
5:¥153.3749
10:¥149.6798
25:¥134.5491
500:¥116.0284
参考库存:3844
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4.0GHz SP4T GaAs P1dB 27dBm
1:¥63.4721
参考库存:3579
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