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无线和射频半导体
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BFP840FESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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10
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100
¥1.7402
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1,000
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3,000
¥1.1413
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.6 V
集电极连续电流
35 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
85 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840FESD BFP BFP84FESDH6327XT H6327 SP000977846
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
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