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无线和射频半导体
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HMC-ALH509

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 71 - 86 GHz
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10
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17180.633
30
¥1,629.6182
48888.546
50
¥1,619.5612
80978.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
RF Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
86 GHz
P1dB - 压缩点
7 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
2 V
NF—噪声系数
5 dB
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH509G
封装
Gel Pack
频率范围
DC to 6 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
13 dB
Pd-功率耗散
0.339 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
10
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH509的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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