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无线和射频半导体
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HMC-ALH509

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 71 - 86 GHz
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数量单价合计
10
¥1,718.0633
17180.633
30
¥1,629.6182
48888.546
50
¥1,619.5612
80978.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
RF Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
86 GHz
P1dB - 压缩点
7 dBm
增益
14 dB
工作电源电压
2 V
NF—噪声系数
5 dB
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH509G
封装
Gel Pack
频率范围
DC to 6 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
13 dB
Pd-功率耗散
0.339 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
10
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH509的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
上下转换器 Low-Noise 2.5GHz Downconverter Mixer
1:¥30.5778
10:¥28.815
25:¥23.052
50:¥21.8994
2,500:¥14.8256
参考库存:12588
无线和射频半导体
预定标器 2-18GHz IL 1.0dB VSWR 1.60:1
1:¥4,330.3182
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无线和射频半导体
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
1:¥32.0468
10:¥31.4253
25:¥30.8942
50:¥30.2727
2,500:¥29.5043
参考库存:41045
无线和射频半导体
射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/915MHz ISM Band
1:¥36.8832
100:¥32.657
参考库存:2605
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:2670
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