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无线和射频半导体
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MRF221

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库存：40,629(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
2.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-07
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
31 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF221的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TQP369182
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6GHz NF 3.9dB Gain 21.3dB 50 Ohm
1:¥17.3681
25:¥13.2888
100:¥10.3734
250:¥8.6106
2,500:¥6.8365
参考库存:10134
EFR32MG1B732F256GM32-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256/512 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN32, mesh
1:¥54.1722
10:¥51.1777
25:¥49.6409
50:¥48.1832
参考库存:3530
MRF101BN
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:3697
QPD1008L
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:3529
RFSA3523TR13
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 5-6000MHz DSA 5 bit 15.5dB / .5dB step
1:¥29.4252
25:¥22.5887
100:¥17.6732
250:¥14.5996
2,500:¥10.0683
参考库存:5735
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