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无线和射频半导体
HMC313ETR参考图片

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HMC313ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
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库存:2,107(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥21.8203
218.203
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
500
¥15.2098
7604.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
类型
Broadband Amplifier Gain Block
技术
GaAs InGaP
工作频率
DC to 6 GHz
P1dB - 压缩点
14 dBm
增益
17 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
6.5 dB
OIP3 - 三阶截点
27 dBm
工作电源电流
50 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC313G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
7 dB
Pd-功率耗散
0.259 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,HMC313ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 30KHz-2.0GHz Attn 15.5dB .5dB Stp
1:¥46.7933
10:¥42.9513
25:¥39.0302
100:¥35.1204
3,000:¥24.747
参考库存:2226
无线和射频半导体
射频放大器 1CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 18.2mA 3.1GHz
1:¥2.4634
10:¥1.9888
100:¥1.356
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.69947
参考库存:5119
无线和射频半导体
射频放大器 BW 40-1000MHz 75 Ohm Dblr
1:¥209.0048
25:¥177.6586
100:¥151.533
250:¥120.1755
1,000:¥78.3768
参考库存:3117
无线和射频半导体
射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 1.7 - 2.2 GHz
1:¥138.7753
10:¥127.5544
25:¥122.3338
100:¥107.7342
参考库存:2195
无线和射频半导体
射频混合器 4-23GHz NF7dB@12GHz Sample Board
1:¥1,536.80
参考库存:2131
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