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无线和射频半导体
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HMC329ALC3BTR

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库存：27,660(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥335.949
33594.9
200
¥326.2649
65252.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
是
射频
24 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
24 GHz to 32 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
封装
Reel
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC329ALC3B
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
12 dBm
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格，HMC329ALC3BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC769LP6CE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO
1:¥500.3075
5:¥492.3862
10:¥475.2554
25:¥459.6614
参考库存:3113
LTC5551IUF#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 300MHz - 3.5GHz Ultra-High Dynamic Range Downconverting Mixer
1:¥134.8542
25:¥89.5977
100:¥74.0715
250:¥70.3086
参考库存:3248
MA4L022-134
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Max CW 3 Watts Max. Pk Pwr 90W
100:¥16.1364
200:¥15.0629
参考库存:3393
D10AA20Z4
Anaren
无线和射频半导体
衰减器 3.0GHz Attn 20dB 10 Watts VSWR 1.25:1
1:¥39.1093
10:¥26.8149
25:¥23.278
100:¥22.5887
1,000:¥18.8258
参考库存:3995
PD84006-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
1:¥115.9493
10:¥106.5816
25:¥102.1972
100:¥90.061
参考库存:3495
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