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无线和射频半导体
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MMBTH81

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库存：9,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBTH81
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
600 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBTH81_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBTH81的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX9947ETE+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频收发器 AISG Interface
1:¥77.2242
10:¥70.851
25:¥64.3874
50:¥62.3195
2,500:¥39.7986
参考库存:3444
GRF7001
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:4840
BFR 193F H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:9285
CC1190RGVT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频前端 850 - 950MHz 射频前端
1:¥23.052
10:¥20.7468
100:¥16.9839
250:¥15.9104
500:¥14.4414
参考库存:4933
STAC2942BW
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:2614
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