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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LC3B-12
类型	Medium Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	17.5 GHz to 25.5 GHz
P1dB - 压缩点	22 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	8 dB
OIP3 - 三阶截点	26 dBm
工作电源电流	84 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC442G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
Pd-功率耗散	0.491 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

优势价格，HMC442LC3BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
8V97051ANLGI8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Low Power Wideband Fractional RF Synthesizer	2,500:¥62.2404	参考库存:55322
LA72910VL-TLM-E	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器	2,000:¥18.4416 4,000:¥17.7523	参考库存:55325
LXMSANAA18-182	Murata Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器	5,400:¥9.9892	参考库存:55328
D2017UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE	50:¥279.3925 100:¥270.1717 250:¥265.5613	参考库存:55331
F0440NBGI	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Variable Gain RF VGA	490:¥79.4503 980:¥74.3766	参考库存:55334