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无线和射频半导体
AFE7225IRGCT参考图片

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AFE7225IRGCT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 射频前端 Dual 12B,125MSPS ADC
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库存:4,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥375.2052
375.2052
5
¥366.8319
1834.1595
10
¥350.0853
3500.853
25
¥335.4066
8385.165
250
¥293.5288
73382.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
射频前端
RoHS
工作电源电压
1.7 V to 1.9 V, 2.85 V to 3.6 V
最大工作温度
+ 85 C
最大数据速率
600 Mb/s
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VQFN-64
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
特点
Auxiliary ADC/DACs, CMOS Interface, Decimation, Serial LVDS Interface
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
AFE7225
商标
Texas Instruments
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
250
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
227.400 mg
商品其它信息
优势价格,AFE7225IRGCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 5 - 20 GHz
50:¥295.834
100:¥276.7822
250:¥267.245
参考库存:4855
无线和射频半导体
RFID应答器 10V NPN 55GHz
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10666
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥254.8828
5:¥243.4246
10:¥235.8197
25:¥216.6888
参考库存:4779
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥1,104.4959
10:¥994.0836
参考库存:4801
无线和射频半导体
射频检测器 70 dB, Log Det/Controller , 1 - 8000 MHz
1:¥157.6011
10:¥144.9225
25:¥138.9222
100:¥122.4016
500:¥114.0283
参考库存:4830
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