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无线和射频半导体
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GTVA123501FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
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库存:1,551(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3,749.1818
3749.1818
50
¥3,749.1818
187459.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
输出功率
350 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
开发套件
LTN/GTVA123501FA-V1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,GTVA123501FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Perf Freq Synth System
1:¥88.4451
10:¥79.9927
25:¥74.0715
100:¥66.2406
1,000:¥50.2511
参考库存:2192
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 38dB IL 1.25dB Max@ 20GHz
50:¥89.1344
100:¥88.366
参考库存:1558
无线和射频半导体
衰减器 3.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:1456
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥1.582
1,000:¥1.1865
15,000:¥0.87575
参考库存:34313
无线和射频半导体
射频收发器 射频收发器 Hi Perf Lo Pwr
1:¥35.9566
10:¥32.3519
100:¥26.4307
250:¥24.8148
500:¥22.5096
参考库存:1364
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