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无线和射频半导体
QN9080DHNE参考图片

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QN9080DHNE

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • RF片上系统 - SoC QN9080DHN/HVQFN48///TRAY SINGLE DP BAKEABLE
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库存:4,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.4936
41.4936
10
¥35.2673
352.673
100
¥30.5778
3057.78
250
¥29.041
7260.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
RF片上系统 - SoC
RoHS
类型
Bluetooth
核心
ARM Cortex M4F
工作频率
2483.5 MHz
最大数据速率
2 Mb/s
输出功率
2 dBm
灵敏度
- 91.5 dBm
工作电源电压
1.62 V to 3.6 V
接收供电电流
5 mA
传输供电电流
3.5 mA
程序存储器大小
512 kB
封装 / 箱体
HVQFN-48
封装
Tray
高度
0.85 mm
长度
6 mm
程序存储器类型
Flash
系列
QN9080
宽度
6 mm
商标
NXP Semiconductors
数据 RAM 大小
128 kB
数据 Ram 类型
SRAM
接口类型
I2C, SPI, USART, USB
安装风格
SMD/SMT
输入/输出端数量
35 I/O
ADC分辨率
16 bit
数据总线宽度
32 bit
最大时钟频率
32 MHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量
490
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
935359366551
商品其它信息
优势价格,QN9080DHNE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise SMT amp, 18 - 31 GHz
100:¥433.1516
200:¥420.473
参考库存:16855
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:16858
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:16861
无线和射频半导体
RF 开关 IC 500-3000MHz IL .7db @ 1900MHz
1:¥28.1257
10:¥21.7412
100:¥19.7524
250:¥17.8992
3,000:¥12.4526
参考库存:16864
无线和射频半导体
射频收发器 SNGL-CHP ANT SOL W/8-CH
1:¥53.3247
10:¥42.8722
100:¥39.0302
250:¥35.1882
1,500:¥25.199
参考库存:16867
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