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无线和射频半导体
BFU550AR参考图片

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BFU550AR

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:5,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.70738
2122.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
15 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067699215
单位重量
7.530 mg
商品其它信息
优势价格,BFU550AR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz FSK/ ASK high power Transmitter
1:¥14.5205
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:42087
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz WLAN/BT RFeIC PA+LNA+SP3T, 3.3V
1:¥8.4524
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.6217
2,500:¥3.2544
参考库存:6137
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 7.0 - 15.5 GHz
1:¥1,355.4576
5:¥1,320.6536
10:¥1,268.4702
25:¥1,243.1921
100:¥1,220.6034
参考库存:42092
无线和射频半导体
上下转换器 71-76GHz IQ LNC Sample
2:¥2,068.1486
6:¥2,038.8703
10:¥1,980.6301
26:¥1,878.738
参考库存:3646
无线和射频半导体
射频放大器 50-1000MHz NF 3dB Gain 15dB 75 Ohm
1:¥32.0468
10:¥24.747
100:¥22.5096
250:¥20.3626
1,000:¥14.9047
参考库存:3849
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