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无线和射频半导体
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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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10
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25
¥139.3064
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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