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无线和射频半导体
MRF101BN参考图片

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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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库存:3,697(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
优势价格,MRF101BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz RF TRNSCVR W/ USB MCU/16K FLSH MEM
1:¥49.8669
10:¥40.115
100:¥36.499
250:¥32.9621
4,000:¥21.5943
参考库存:39594
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 35 V 100 mA
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:29920
无线和射频半导体
射频放大器 40-6000 MHz 12dB RF Gain Block
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
250:¥8.9948
500:¥7.91
参考库存:1440
无线和射频半导体
射频前端 5G FEM, 2.5mmx2.5mm, 3.3V
1:¥17.3681
10:¥15.594
25:¥13.9894
100:¥12.5204
参考库存:2298
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.5nH SOT-23 Common Cathode
1:¥4.9946
10:¥4.4296
100:¥3.4013
250:¥2.7685
3,000:¥1.9436
参考库存:39603
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