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无线和射频半导体
BFG35,115参考图片

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BFG35,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
工作频率
4000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
4000 MHz
最大直流电集电极电流
0.15 A
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
933919910115
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BFG35,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1310HSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310HS/CFM4F///REEL 13
1:¥743.653
5:¥729.2116
10:¥705.1652
25:¥675.2654
50:¥666.0446
参考库存:13509
QPA1010D
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 7.9-11GHz 15W GaN
10:¥1,690.48
30:¥1,375.436
参考库存:13512
AFT21S140W02GSR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:13515
HMC682LP6CETR
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 Hi IP3 Dual Dwncon, w/LO Swt, 1.7-2.2GHz
500:¥156.9796
参考库存:13518
EXB-24N181JX
Panasonic
无线和射频半导体
衰减器 Thick Film Chip 2R Array, Convex, 0402
1:¥0.7684
10:¥0.16159
100:¥0.13786
500:¥0.13108
参考库存:13521
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