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无线和射频半导体
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MRF101AN

  • NXP Semiconductors
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377233129
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC451LC3
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 5 - 20 GHz
1:¥429.3096
5:¥416.3146
10:¥403.2518
25:¥390.2681
参考库存:1880
SMA26
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-1500MHz NF 5.0dB Gain 20.5dB
1:¥1,650.9865
参考库存:1762
MASW-004103-001SMB
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 41dB Sample board
1:¥2,401.25
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LTC5531ES6#TRMPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
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1:¥25.4363
25:¥16.8257
100:¥13.9103
250:¥13.221
500:¥12.0684
1,500:¥11.752
参考库存:3044
BFR 193 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:22616
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