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无线和射频半导体
MT3S113TU,LF参考图片

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MT3S113TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW
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1
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10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
3,000
¥1.9097
5729.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S113TU
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.2 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
900 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09H310-03SR6
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