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无线和射频半导体
MT3S113TU,LF参考图片

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MT3S113TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
3,000
¥1.9097
5729.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113TU
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.2 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
900 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MT3S113TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp SMT, 17.5 - 25.5 GHz
1:¥463.5712
5:¥449.514
10:¥435.4568
25:¥421.3883
参考库存:2905
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2995
无线和射频半导体
PIN 二极管 QUAD PIN DIODE ATTENUATOR
1:¥5.9212
10:¥4.9268
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
3,000:¥2.147
参考库存:7561
无线和射频半导体
射频无线杂项 30GHz ADA
1:¥261.482
5:¥247.1197
10:¥241.1985
25:¥216.7679
参考库存:2918
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:2914
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