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无线和射频半导体
MT3S113TU,LF参考图片

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MT3S113TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
3,000
¥1.9097
5729.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113TU
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.2 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
900 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MT3S113TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer
1:¥10.3734
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥6.0003
2,500:¥4.2036
参考库存:1621
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=250VDC Cj=.2pF Rs=.7 Ohms
100:¥10.7576
200:¥10.0683
参考库存:1854
无线和射频半导体
RF 开关 IC .4-3.0GHz SP2T IL .4dB @ 2.GHz
1:¥4.2262
10:¥3.7403
100:¥2.8702
250:¥2.3391
3,000:¥1.6498
参考库存:19712
无线和射频半导体
射频放大器 9-10GHz 16W GaN Power Amplifier
1:¥3,012.128
25:¥2,443.512
参考库存:1062
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC BLE
1:¥28.4308
10:¥25.5832
100:¥20.905
250:¥19.6733
2,500:¥14.2945
参考库存:1466
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