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无线和射频半导体
MRF13750HR5参考图片

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MRF13750HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
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数量单价合计
1
¥2,406.2446
2406.2446
5
¥2,348.3886
11741.943
10
¥2,290.058
22900.58
25
¥2,257.9434
56448.585
50
¥2,207.3081
110365.405
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
20.5 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF13750H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360897178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRF13750HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.35pF 100Volt -65C +175C
100:¥13.447
300:¥12.0684
500:¥11.3678
1,000:¥9.605
2,500:¥9.0626
参考库存:4932
无线和射频半导体
PIN 二极管 SWITCH BAND 35V
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.62263
参考库存:10560
无线和射频半导体
射频放大器 31.5 dB Range, 0.5 dB Step Size VGA
1:¥78.535
10:¥70.6928
25:¥66.4666
50:¥62.4664
1,500:¥50.6353
参考库存:3866
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:3788
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.4dB @ 1900MHz
1:¥13.6052
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.3789
3,000:¥5.0059
参考库存:4762
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