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无线和射频半导体
HMC329A-SX参考图片

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HMC329A-SX

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库存:29,596(价格仅供参考)
数量单价合计
2
¥252.7245
505.449
6
¥238.8933
1433.3598
10
¥233.1303
2331.303
26
¥209.5472
5448.2272
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
22 GHz to 38 GHz
转换损失——最大
14.5 dB
NF—噪声系数
14 dB
LO频率
22 GHz to 38 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 55 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
OIP3 - 三阶截点
21 dBm
P1dB - 压缩点
13.5 dBm
Pd-功率耗散
382 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC329A-SX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Wide Band Microwave Frac-Integer-N Integrated Synthesizer
1:¥129.0912
10:¥118.7178
25:¥113.8023
100:¥100.1971
参考库存:14967
无线和射频半导体
RFID应答器 NTAG213 NFC Forum Type 2 Tag
79,000:¥0.69156
参考库存:14970
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +13 dBm
1:¥33.7305
10:¥31.8095
25:¥30.8942
50:¥29.9676
参考库存:14973
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥50.4884
10:¥45.1096
25:¥40.6461
100:¥37.0414
参考库存:14976
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:14979
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