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无线和射频半导体
BFU760F,115参考图片

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BFU760F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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1
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3.3787
10
¥2.8024
28.024
100
¥1.7063
170.63
1,000
¥1.3221
1322.1
3,000
¥1.12209
3366.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
直流集电极/Base Gain hfe Min
155
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
70 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
220 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064615115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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