宝华芯城

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：2,592(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QSOP-16
类型	Power Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	9 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7.5 dB
OIP3 - 三阶截点	48 dBm
工作电源电流	485 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC452
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	11 dB
Pd-功率耗散	2.7 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	288 mg

商品其它信息

优势价格，HMC452QS16GE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI5334M-B02080-GMR	Silicon Labs / Bluegiga	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC 4-output, any frequency (< 200 MHz), any output, clock generator (Spread Spectrum inc/dec pin ctrl)	2,500:¥38.646	参考库存:12993
AFE8406IZDQ	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 WB Multi-Carrier	1:¥848.0085 5:¥820.6512 10:¥804.2888 25:¥760.5578	参考库存:12996
PD55015S-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	1:¥156.9118 5:¥155.2959 10:¥144.7643 25:¥138.2329	参考库存:12999
LET9045	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD	1:¥386.7312 5:¥378.0528 10:¥363.295 25:¥351.543	参考库存:13002
LMX2502LQ1635/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Frequency Synthesizer System with Integr	1,000:¥25.1312 2,000:¥23.8995	参考库存:13005