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无线和射频半导体
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MRFX600HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
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1
¥1,042.1086
1042.1086
5
¥1,021.6669
5108.3345
10
¥974.0261
9740.261
25
¥953.5844
23839.61
50
¥953.5844
47679.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
26.4 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-780H-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935376369178
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDC5801DBQG4
Texas Instruments
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锁相环 - PLL Lo Jitter PLL Based Mult/Divider
1:¥90.1288
10:¥81.4504
50:¥75.3823
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1:¥21.0519
10:¥18.9049
100:¥15.4471
250:¥14.5205
2,500:¥10.5316
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1:¥2.0001
10:¥1.9436
25:¥1.6611
100:¥1.5707
参考库存:18877
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