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无线和射频半导体
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TGF2060

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
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数量单价合计
100
¥56.3192
5631.92
300
¥52.6354
15790.62
500
¥49.1776
24588.8
1,000
¥45.9458
45945.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
12 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 3 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
232 mS
NF—噪声系数
1.4 dB
P1dB - 压缩点
28 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098619
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPC2108
Qorvo
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10:¥120.0964
25:¥116.3335
参考库存:14434
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