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无线和射频半导体
CGHV1F025S参考图片

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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AT0603T05ECAS3
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 5db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥209.8523
10:¥192.2582
25:¥174.811
50:¥165.8162
参考库存:16213
AD8318SCPZ-EP-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 GHz Logarithmic Amplifier
1,500:¥74.4557
参考库存:16216
RF5110GSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 150-960MHz Pout 32dBm PAE 53%
100:¥42.8044
参考库存:16219
MASW-002100-11910W
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-26500MHz 2W -65C +125C Iso 65dB
50:¥63.167
100:¥55.2457
250:¥47.4148
500:¥43.2564
参考库存:16222
HMC405-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 I.C. DC-10 GHz HBT Gain Block Die
2:¥422.3149
6:¥409.5572
10:¥396.7204
26:¥383.974
参考库存:16225
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