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无线和射频半导体
CGHV1F025S参考图片

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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 FM IF SYSTEM LOW PWR
1:¥42.9513
10:¥36.499
100:¥31.6626
250:¥30.0467
参考库存:4484
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
1:¥607.9626
5:¥596.7417
10:¥581.2946
25:¥569.9268
参考库存:3897
无线和射频半导体
射频混合器 700M-2700Mhz Dual Dwn Cnvtr Mixer
1:¥182.5741
5:¥175.037
10:¥168.4378
25:¥160.8216
250:¥137.2385
参考库存:3912
AVX
无线和射频半导体
衰减器 100watts 9dB 1%
1:¥103.4289
10:¥101.6548
20:¥98.6603
50:¥96.9766
参考库存:3915
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 1.0 GHz - 6.0 GHz High Performance Delta
1:¥35.6515
10:¥32.0468
100:¥26.2047
250:¥24.5888
1,000:¥18.8258
参考库存:4370
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