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无线和射频半导体
HMC524ALC3B参考图片

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HMC524ALC3B

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频混合器 GaAs MMIC I/Q Mixer / IRM Chip 22 - 32
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库存:4,821(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥307.134
307.134
5
¥298.4443
1492.2215
10
¥286.6132
2866.132
25
¥265.9455
6648.6375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
22 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13 dB
NF—噪声系数
15 dB
LO频率
22 GHz to 32 GHz
中频
DC to 4.5 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
封装
Cut Tape
系列
HMC524AG
技术
GaAs
商标
Analog Devices
开发套件
EV1HMC524ALC3
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
18 dBm
P1dB - 压缩点
17 dBm
Pd-功率耗散
560 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC524ALC3B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 AISG Interface
1:¥77.2242
10:¥70.851
25:¥64.3874
50:¥62.3195
2,500:¥39.7986
参考库存:3444
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:4840
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:9285
无线和射频半导体
射频前端 850 - 950MHz 射频前端
1:¥23.052
10:¥20.7468
100:¥16.9839
250:¥15.9104
500:¥14.4414
参考库存:4933
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:2614
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