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无线和射频半导体
PD57070S-E参考图片

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PD57070S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:54,925(价格仅供参考)
数量单价合计
400
¥394.3474
157738.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.7 dB
输出功率
70 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57070S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57070S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz IEEE 802.15.4 Transceiver
1:¥22.9729
10:¥19.1309
25:¥17.3681
100:¥15.8313
参考库存:3812
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:6517
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥891.344
2:¥863.6816
5:¥863.3765
10:¥835.5559
参考库存:3735
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-20000MHz ISO 41dB IL 1.5dB max @ 20GHz
50:¥103.96
100:¥92.5131
参考库存:3931
无线和射频半导体
调节器/解调器 400-3000MHz SSB NF 17dB max.
1:¥75.5292
5:¥71.9245
10:¥69.4611
25:¥64.0032
4,000:¥52.1721
参考库存:7733
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