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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
类型	MMIC Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	21 dBm
增益	19.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1.1 dB
OIP3 - 三阶截点	33 dBm
工作电源电流	65 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC8410
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
输入返回损失	6 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	1.3 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

优势价格，HMC8410LP2FETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
GC4494-171	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	25:¥888.1913 50:¥875.5127 100:¥843.7823	参考库存:55415
PXAC201202FC-V2-R250	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥512.6019	参考库存:55418
EFR32MG12P431F1024GM68-CR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN68 SubG 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 46GPIO	2,500:¥79.9927	参考库存:55421
D1203UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE	50:¥445.1296 100:¥438.2931	参考库存:55424
PXV1220S-10DBN4-T	Susumu	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 10.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW	1,000:¥71.4612	参考库存:55427