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无线和射频半导体
HMC8410LP2FETR参考图片

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HMC8410LP2FETR

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai
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数量单价合计
1
¥357.3851
357.3851
5
¥347.2377
1736.1885
10
¥333.4065
3334.065
25
¥309.4392
7735.98
500
¥265.5613
132780.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
类型
MMIC Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点
21 dBm
增益
19.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
1.1 dB
OIP3 - 三阶截点
33 dBm
工作电源电流
65 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC8410
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
6 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,HMC8410LP2FETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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10:¥2,759.7877
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无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
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500:¥312.8179
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射频放大器 GPS High Gain LNA with Stand-by-mode
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无线和射频半导体
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4,000:¥18.5207
参考库存:55122
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