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无线和射频半导体
D1094UK参考图片

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D1094UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
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数量单价合计
50
¥495.1547
24757.735
100
¥489.4708
48947.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.77 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.84 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1094UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.0663
10:¥76.3767
25:¥72.998
100:¥64.5456
1,000:¥51.0986
参考库存:5034
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 2.5V 3.3V 10-220 MHz Zero Delay Buffer
1:¥85.9026
10:¥78.0717
25:¥72.2296
50:¥66.3875
参考库存:4734
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 6W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:5047
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODES
1:¥3.7629
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
参考库存:27477
无线和射频半导体
射频放大器 1:2 SGL-Ended Active RF Splitter
1:¥20.1366
10:¥18.2156
25:¥16.2946
100:¥14.8256
1,500:¥8.9948
参考库存:5650
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