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无线和射频半导体
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D1053UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
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59727.845
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
7.5 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DB
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
175 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1053UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFR32BG1B132F256GM48-C0R
Silicon Labs
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10:¥27.8206
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25:¥287.3025
100:¥253.8771
250:¥233.5145
750:¥233.5145
参考库存:4207
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100:¥69.7662
250:¥66.3084
参考库存:3807
BGS12PN10E6327XTSA1
Infineon Technologies
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1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
7,500:¥1.5933
参考库存:13986
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1:¥359.6112
25:¥291.3027
参考库存:3639
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