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无线和射频半导体
D1053UK参考图片

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D1053UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
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数量单价合计
50
¥1,194.5569
59727.845
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
7.5 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DB
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
175 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1053UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
250:¥71.2352
参考库存:3726
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz P1dB 25dBm 3.3/5.0V 802.11b/g
1:¥10.5994
10:¥8.4524
100:¥6.5201
500:¥5.763
3,000:¥4.0454
参考库存:6101
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:3566
无线和射频半导体
射频放大器 5-200MHz NF 5dB Gain 36dB
1:¥192.2582
25:¥181.0373
100:¥171.195
250:¥161.364
参考库存:3584
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:8512
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