您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
A2T26H165-24SR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

A2T26H165-24SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:52,701(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥719.5275
179881.875
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
700 mA, 1.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
14.7 dB
输出功率
32 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.496 GHz to 2.69 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935313041128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
优势价格,A2T26H165-24SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 200mW Sngl-Chip Txr 868/915MHz ISM Bands
1:¥51.0195
10:¥46.4091
25:¥36.8041
250:¥33.8096
参考库存:4287
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:4212
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 7 - 17 GHz
25:¥289.9128
100:¥271.2452
250:¥261.8662
参考库存:4280
无线和射频半导体
上下转换器 400MHz to 2.5GHz Upconverter
1:¥13.9103
10:¥13.1419
25:¥10.5316
50:¥9.9892
2,500:¥6.9382
参考库存:6701
无线和射频半导体
射频检测器 Dual Channel Log Detector
1:¥81.2922
10:¥73.7664
25:¥69.382
50:¥66.7717
1,500:¥47.4826
参考库存:4911
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们